Renesas Electronics 메모리 IC

결과: 1,003
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Renesas Electronics SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-48 32 Mbit
Renesas / Dialog NOR 플래시 32 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, Silver Free SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit SPI

Renesas / Dialog NOR 플래시 128 Mbit, 3.0V (2.7V to 3.6V), -40 C to 85 C, 16-pin SOIC 300mil (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NOR Flash
Renesas / Dialog NOR 플래시 4 Mbit, Ultra Wide Vcc (1.65V to 4.4V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tray), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,850
배수: 570

NOR Flash SMD/SMT UDFN-8
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 253
배수: 253

SRAM SMD/SMT FBGA-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT FBGA-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 253
배수: 253

SRAM SMD/SMT FBGA-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT FBGA-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
Renesas Electronics SRAM SRAM 256KB X8 5V SOP 55NS -40TO85C T+R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM
Renesas Electronics SRAM SRAM 1MB X8 3V SOP 55NS -40TO85C 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SRAM

Renesas Electronics SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit
Renesas Electronics SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT FBGA-48
Renesas / Dialog NOR 플래시 16 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, DFN 5x6 (Tape & Reel), Single, Dual, Quad SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

NOR Flash SMD/SMT WDFN-8 16 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 1 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 1 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 125C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT 1 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 2 Mbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 2M 1.65V-3.6V SPI 104MHz HIGH TEMP 비재고 리드 타임 12 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

NOR Flash
Renesas / Dialog NOR 플래시 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 100

NOR Flash

Renesas / Dialog NOR 플래시 256 Kbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 256 kbit SPI

Renesas / Dialog NOR 플래시 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 8,000
배수: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR 플래시 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 7,840
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 256 kbit SPI