Intelligent Memory 메모리 IC

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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 128GB, -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주

eMMC SMD/SMT FBGA-153 16 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 16GB, -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주

eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 32GB, -25C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주

eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 64GB, -25C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 128GB, -25C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주

eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 144
배수: 144

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,1024Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-25C to +85C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,16Gb,512Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM