Intelligent Memory 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
418예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
133예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
122예상 2026-08-05
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory eMMC 64GB eMMC 5.1 153 ball (11.5x13) MLC -40 to 105C AEC-Q100 Auto Grade 2 재고 없음
최소: 1
배수: 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit