Intelligent Memory 메모리 IC

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결과: 81
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수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 64GB, -25C to 85C
데이터시트
29재고 상태
최소: 1
배수: 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC 5.1 153 ball (11.5x13) 8GB -25C to 85C Silver
데이터시트
21재고 상태
최소: 1
배수: 1
eMMC SMD/SMT
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
412예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
데이터시트
205예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
240예상 2026-03-10
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
데이터시트
144주문 중
최소: 1
배수: 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
232예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
216예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
데이터시트
108예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 180
배수: 180

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 120
배수: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60
데이터시트
리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Intelligent Memory eMMC 64GB eMMC 5.1 153 ball (11.5x13) MLC -40 to 105C AEC-Q100 Auto Grade 2
데이터시트
재고 없음
최소: 152
배수: 152

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1