ISSI 메모리 IC

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ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 596재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 135
DRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,871재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 180
DRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit
ISSI IS25WX512M-OHLE
ISSI NOR 플래시 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS,Default Octal DDR Mode, IT 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit xSPI
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 501재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI IS66WVS2M8BLL-104NLI
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 1,576재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 283

SRAM SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 688재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 108

SRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit SPI
ISSI IS49NLC36800A-25EWBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS 81재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 86재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 387재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 18

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI NOR 플래시 128Mb, Octal Flash, 3V, 240ball TFBGAm RoHS, IT, Auto Grade 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI
ISSI NOR 플래시 128Mb, Octal Flash, 3V, 240ball TFBGAm RoHS, IT 429재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit SPI

ISSI NAND 플래시 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray 108재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 9

NAND Flash SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 699재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 280재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT 331재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 33

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS 465재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT 1,308재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 186

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS 535재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 125

DRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 1,114재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 166
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 265재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 349재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 40

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8M x 16 SDRAM 1,717재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 676재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 177

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 1,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 1,460재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit