ISSI 메모리 IC

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ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R 2,150재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT 186재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 146재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 178재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 38재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 215재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 633재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit Serial
ISSI IS42VM16200D-75BLI
ISSI DRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 348재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 80재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI IS64WV3216BLL-15CTLA3
ISSI SRAM 512Kb (32Kx16) Async SRAM 92재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 512 kbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 171재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-84
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 147재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 206재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI NAND 플래시 1G 3V x8 1-bit NAND 플래시 285재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 146재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 578재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI IS46QR16512A-075VBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT 5재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 173재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 627재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 242재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT 169재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 94재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive 130재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 242재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 189재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit