ISSI 메모리 IC

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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 185재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 250MHz Sync SRAM 2.5v 8재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 39재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TSOP-44 16 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 17재고 상태
4,500예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
최대: 906
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 74재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 26

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 111재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2,379재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1,733재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 28

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS25WP512M-RHLA3
ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 457재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 29
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit QPI, SPI
ISSI UFS(범용 플래시 스토리지) 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS,new die, Auto Grade 318재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 31

Flash Memory Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT WSON-8 512 Mb SPI, QPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 193재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 32Mb,48pin TSOP,3V, RoHS, Highest Sector Protected, Uniform Sector 384재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 32 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync,128K x 32,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 247재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 242재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V I-Temp 610재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 308재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 68재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V I-Temp 720재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V A-Temp 1,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 680재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel