Alliance Memory 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Alliance Memory NAND 플래시 SLC Parallel NAND 플래시, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND 플래시, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
210예상 2026-08-20
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
121예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die 비재고 리드 타임 6 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Industriall Temp, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-60 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Tape and Reel 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A) Tape and Reel 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, Automotive temp - Tray & Reel 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-54 64 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63) TAPE AND REEL, A Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die
2,674예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V 54BGA , 143 MHz, Commercial Temp,TAPE AND REEL, A Die 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-54 64 Mbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Die, T&R 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 128 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die, T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 128 Mbit