EEPROM

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 인터페이스 타입 최대 클록 주파수 조직 패키지/케이스 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 장착 스타일 데이터 유지 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Microchip / Microsemi EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
16재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS
2재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 90 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 120NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 90NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14

256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 70 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 14
배수: 14
없음
256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube