|
|
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
- IS66WVE2M16EALL-70BLI
- ISSI
-
1:
₩9,575.6
-
310재고 상태
|
Mouser 부품 번호
870-E2M16EALL70BLI
|
ISSI
|
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
|
|
310재고 상태
|
|
|
₩9,575.6
|
|
|
₩8,909.6
|
|
|
₩8,643.2
|
|
|
₩8,436
|
|
|
₩8,243.6
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 200
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
|
32 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 PNOR
- S29AL016J70BFN020
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,848
-
294재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
727-S29AL016J70BFN02
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 PNOR
|
|
294재고 상태
|
|
|
₩3,848
|
|
|
₩3,596.4
|
|
|
₩3,492.8
|
|
|
₩3,404
|
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|
보기
|
|
|
₩3,330
|
|
|
₩3,196.8
|
|
|
₩3,108
|
|
|
₩3,048.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray
- RMLV0416EGBG-4S2#AC0
- Renesas Electronics
-
1:
₩12,461.6
-
366예상 2026-03-06
|
Mouser 부품 번호
968-V0416EGBG4S2#AC0
|
Renesas Electronics
|
SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray
|
|
366예상 2026-03-06
|
|
|
₩12,461.6
|
|
|
₩11,840
|
|
|
₩10,833.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-48
|
4 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash
- SST39VF802C-70-4C-B3KE
- Microchip Technology
-
480:
₩2,560.4
-
비재고 리드 타임 4 주
|
Mouser 부품 번호
579-39VF802C704CB3KE
|
Microchip Technology
|
NOR 플래시 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash
|
|
비재고 리드 타임 4 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 PNOR
- S29GL064S70BHI043
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩5,609.2
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
727-S29GL064S70BH043
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 PNOR
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
64 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
- S29GL064S70BHA040
- Infineon Technologies
-
3,380:
₩6,201.2
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
727-S29GL064S70HA040
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 3,380
배수: 3,380
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
64 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
- S29GL064S70BHA043
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩6,053.2
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
727-S29GL064S70HA043
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
64 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R
- RMLV0416EGBG-4S2#KC0
- Renesas Electronics
-
1,000:
₩11,529.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
968-V0416EGBG4S2#KC0
|
Renesas Electronics
|
SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-48
|
|
|
|
|
|
SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM
- CY7C1071DV33-12BAXIT
- Infineon Technologies
-
2,000:
₩171,102.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-71071D3312BAXIT
|
Infineon Technologies
|
SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-48
|
32 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
- CY62167GE18-55BVXI
- Infineon Technologies
-
4,800:
₩17,641.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62167GE18-55BV
|
Infineon Technologies
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 4,800
배수: 4,800
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
- CY62167GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
2,400:
₩16,635.2
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62167GE30-45BV
|
Infineon Technologies
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,400
배수: 2,400
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
- CY62168GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
4,800:
₩16,812.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62168GE30-45BV
|
Infineon Technologies
|
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 4,800
배수: 4,800
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 PNOR
- S29AL016J70BAI010
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,609.2
-
비재고 리드 타임 12 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
727-S29AL016J70BAI01
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 PNOR
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩5,609.2
|
|
|
₩5,224.4
|
|
|
₩5,076.4
|
|
|
₩4,958
|
|
|
보기
|
|
|
₩4,839.6
|
|
|
₩4,691.6
|
|
|
₩4,306.8
|
|
|
₩4,247.6
|
|
|
₩4,188.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NOR 플래시 Nor
- S29AL016J55BFIR10
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,463.2
-
재고 없음
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
727-S29AL016J55BFIR1
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
NOR 플래시 Nor
|
|
재고 없음
|
|
|
₩3,463.2
|
|
|
₩3,226.4
|
|
|
₩3,137.6
|
|
|
₩3,078.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,004.4
|
|
|
₩2,886
|
|
|
₩1,894.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
NOR Flash
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
- IS66WV51216EALL-70BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩4,691.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-66WV51216EA70BIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
- IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩6,896.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-E2M16EALL70BLIT
|
ISSI
|
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
SRAM
|
|
|
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
- IS66WV51216EALL-70BLI
- ISSI
-
480:
₩4,810
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-S66WV51216EA70BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
|
₩4,810
|
|
|
₩4,750.8
|
|
|
₩4,691.6
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
SRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
8 Mbit
|
Parallel
|
|
대한민국
