EEPROM

결과: 18
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Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS PGA 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS PGA 883C
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 200NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PGA-28 200 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 120NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 90NS
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

256 kbit Parallel 32 k x 8 PGA-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 150NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
비재고 리드 타임 23 주
최소: 20
배수: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk