EEPROM

결과: 21
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 LCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 200NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS LCC
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 120NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 LCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 90NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 32 k x 8 LCC-32 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28HC256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 LCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 90NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 34
배수: 34

LCC-32 AT28HC256 Tube