SRAM

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48