SRAM

결과: 19
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
데이터시트
495재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM
데이터시트
91재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136

9 Mbit 256 k x 36 6.7 ns 150 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

9 Mbit 512 k x 18 6.7 ns 150 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 325 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X18 F/T 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136

9 Mbit 512 k x 18 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

9 Mbit 256 k x 36 6.7 ns 150 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136
없음
4 Mbit 128 k x 36 5 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136
없음
9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136
없음
9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136
없음
9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 265 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 272
배수: 136
없음
9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns 87 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
없음
9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns 87 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel