MRAM(자기 메모리)

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 29 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 29 주
최소: 380
배수: 190

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Tray