8 bit/16 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 319
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 360
배수: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S29GL512T10FAI010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10FAI020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
NOR Flash 512 Mbit
ISSI NOR 플래시 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected, Uniform Sector 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected, Uniform Sector 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 128 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 128 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 128 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 256 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 256 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit