8 bit/16 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Infineon Technologies S29GL512T10DHI013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10DHI023
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10TFA020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 910
배수: 910

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10TFA023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHB023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 520
배수: 520

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHV023
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11DHV013
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11TFB020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 910
배수: 910

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV33
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV40
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,800
배수: 1,800

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV43
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11TFB023
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV33
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV30
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV10
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV20
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,600
배수: 2,600

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit Parallel
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV23
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV10
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit Parallel
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 180
배수: 180

NOR Flash 2 Gbit