5 ns 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM 72재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 213재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOPII, 166 Mhz, Industrial temp - Tray 108재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
Micron DRAM LPSDR 512Mbit 32 90/135 VFBGA 1 IT 70재고 상태
2,880예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1
최대: 100

DRAM SMD/SMT VFBGA-90 512 Mbit
Micron DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

DRAM SMD/SMT VFBGA-90 512 Mbit

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 8 Mbit SPI
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, Automotive Temp - Tray 221재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT LFBGA-144 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
37예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-256 1 Mbit Parallel
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
348예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
1,200예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
324예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
190예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
227예상 2026-06-02
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 32 Mbit SPI
Texas Instruments FIFO 65536 x 18 Synch FIF O Memory 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

FIFO SMD/SMT LQFP-80 1.125 Mbit
Texas Instruments FIFO Mil Enhance 65536x18 Synch FIFO Memory A A 595-SN74V293PZAEP 비재고 리드 타임 12 주
최소: 90
배수: 90

FIFO SMD/SMT LQFP-80 1.125 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
GSI Technology SRAM
재고 없음
최소: 21
배수: 21
SRAM SMD/SMT BGA-209 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM
재고 없음
최소: 21
배수: 21
SRAM SMD/SMT BGA-209 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M 재고 없음
최소: 18
배수: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M 재고 없음
최소: 18
배수: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel