2.97 V 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 42
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Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-W 512B EEPROM W/SHA-256 TSOC T&R 2,836재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

EEPROM SMD/SMT TSOC-6 512 bit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-W 4KB EEPROM W/SHA-256 SFN 2,062재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT SFN-2 4 kbit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM DeepCover Secure Authenticator with 1-Wi 3,009재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TDFN-6 2 kbit 1-Wire
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns 3.3v Async SRAM 3.3v 1,394재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v 903재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 256K (32K x 8) 20ns Async SRAM 3.3v 84재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v 121재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 1 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM 181재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 178재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async SRAM 3.3v 232재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-W 512B EEPROM W/SHA-256 TDFN T&R 22,235재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TDFN-6 512 bit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-W 512B EEPROM W/SHA-256 SFN T&R 1,947재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT SFN-2 512 bit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-W 4KB EEPROM W/SHA-256 3-TO92 1,641재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

EEPROM Through Hole TO-92-3 4 kbit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R 2,538재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TDFN-6 2 kbit 1-Wire

Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM DeepCover Secure Authenticator with 1-Wi 167재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSOC-6 2 kbit 1-Wire

Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-Wire SHA-256 Authenticator with 4Kb Us 282재고 상태
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSOC-6 4 kbit 1-Wire
ISSI SRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM 269재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v 3재고 상태
819주문 중
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v 146재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT SOP-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-36 2 Mbit Parallel

Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM DeepCover Secure Authenticator with 1-Wi 비재고 리드 타임 23 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

EEPROM SMD/SMT TSOC-6 2 kbit 1-Wire
Analog Devices / Maxim Integrated EEPROM 1-Wire SHA-256 Authenticator with 4Kb Us 비재고 리드 타임 17 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

EEPROM SMD/SMT TSOC-6 4 kbit 1-Wire

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel