2 Mbit 메모리 IC

결과: 492
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Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 234
배수: 234

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 696
배수: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 256K x 845ns Async SRAM N/A
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 256K x 845ns Async SRAM 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
없음
SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel