2 Mbit 메모리 IC

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ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 36,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,10ns/3.3v, or 12ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,64K x 32,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 36pin TFBGA (6 x 8mm), 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT SOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOP-32 2 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel