2 Gbit 메모리 IC

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결과: 410
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수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 190
배수: 190
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit