1 Gbit 메모리 IC

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ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 비재고 리드 타임 30 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die rev 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, T&R, new die rev 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, T&R, reset pin, Auto Grade 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, ECC 비재고 리드 타임 30 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, T&R, RoHS, reset pin, ECC 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit QPI, SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS,new die 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NOR 플래시 1Gb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball LFBGA, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT LFBGA-24 1 Gbit xSPI
ISSI NAND 플래시 1G 3V x8 1-bit NAND 플래시 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1Gbit (x16, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI

ISSI NAND 플래시 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NAND Flash SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 480
배수: 480

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit