1 Gbit 메모리 IC

결과: 702
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 제조업체
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수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
리드 타임 24 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 1 Gbit