1 Gbit 메모리 IC

결과: 702
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Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-60 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.8V 64M x 16 DDR2 A-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 I Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 C Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (C-die), COMMERCIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 6 주
최소: 198
배수: 198

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP, T&R, C Die 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP, T&R, C Die 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA, 800MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 8 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.5V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit