1 Gbit 메모리 IC

결과: 702
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Infineon Technologies S70FS01GSAGBHB213
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 1 Gbit SPI
Infineon Technologies S70FS01GSAGBHM210
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 16 주
최소: 338
배수: 338

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSAGBHM213
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSAGBHB210
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,690
배수: 1,690

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 1 Gbit SPI
Infineon Technologies S70FS01GSAGBHI213
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSAGMFV010
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,400
배수: 2,400

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSBHB210
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,690
배수: 1,690

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSBHB213
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSBHI210
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,380
배수: 3,380

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSBHV213
Infineon Technologies NOR 플래시 NOR 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSBHM213
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FS01GSDSMFI010
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,400
배수: 2,400

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S79FS01GSFABHB213
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 1 Gb FLASHMEM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 1 Gbit
Infineon Technologies S70FL01GSAGBHIC13
Infineon Technologies NOR 플래시 1Gb, 3V, 133Mhz Serial Flash 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 1 Gbit SPI
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FPGA-60 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,900
배수: 1,900

DRAM SMD/SMT FPGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Commercial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3L, 1Gb, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, Industrial Temp, T&R, C Die 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit