1 Gbit 메모리 IC

결과: 701
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O BGA-64 Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT BGA-64 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 53 주
최소: 960
배수: 96
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O BGA-64 Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT BGA-64 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Highest Sector Protected VIO 비재고 리드 타임 53 주
최소: 960
배수: 96
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Highest Sector Protected VIO 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O TSOP-56 Highest Sector Protected VIO 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
NOR Flash SMD/SMT TSOP-56 1 Gbit Parallel
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 1Gbit 16 I/O BGA-64 Highest Sector Protected VIO 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NOR Flash SMD/SMT BGA-64 1 Gbit Parallel
GigaDevice GD55B01GEYIGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55B01GFBIRY
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55B01GFFIRR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-16 1 Gbit Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55B01GFYIGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55F01GFBIRY
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

NOR Flash SMD/SMT 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55F01GFFIRR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55F01GFYIGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55LB01GFYIGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit Dual/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD55T01GEYIGR
GigaDevice NOR 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT 1 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI
GigaDevice GD5F1GM7REYIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F1GM7UEWIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F1GM7UEYIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD9FS1G8F2DLGI
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 1 Gbit Parallel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
NOR Flash SMD/SMT FBGA-64 1 Gbit Parallel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
없음
NOR Flash SMD/SMT FBGA-64 1 Gbit Parallel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
NOR Flash SMD/SMT FBGA-64 1 Gbit Parallel