200 MHz 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
45예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 72 Mbit Parallel
Infineon Technologies DRAM SPCM
662예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-24 512 Mbit
Macronix NOR 플래시 Serial NOR 1.8V 256Mbit x8 I/O BGA-24 RWW
2,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
2,880예상 2026-06-05
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36예상 2026-07-08
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
Alliance Memory DRAM LPDDR1 (MICRON), 2Gb, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, Extended Temp
3,927예상 2026-06-01
최소: 1
배수: 1
: 1,000

DRAM SMD/SMT VFBGA-90 2 Gbit
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
1,014주문 중
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-24 256 Mbit
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
6예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1
없음
SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit Parallel
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
140예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 256Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, Auto Grade
1,440주문 중
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
1,200예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
58예상 2026-06-24
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
108예상 2026-06-10
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 32 Mbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 200Mhz /256Mbit NOR 플래시 / 1.8V /TFBGA 6*8mm /Industrial(-40? to +85?) /Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel