200 MHz 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M 38재고 상태
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-165 9 Mbit Parallel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 135재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 50재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 9 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M 10재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 13재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 39재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 844재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 512 Mbit
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 4,479재고 상태
1주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 100

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM 636재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT 128 Mbit
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 426재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-24 128 Mbit
Micron MT35XU512ABA2G12-0AAT
Micron NOR 플래시 SPI 512Mbit 8 1.8 Volts 24/25 TBGA 1 AL 900재고 상태
최소: 1
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT T-PBGA-24 512 Mbit SPI
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 413재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-24 64 Mbit Serial
Micron MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J
Micron 멀티칩 패키지 NAND MCP 8Gbit 149/224 WFBGA AT 216재고 상태
최소: 1
배수: 1

Multichip Packages SMD/SMT WFBGA-149 4 Gbit, 4 Gbit

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

DRAM SMD/SMT 256 Mbit
Winbond DRAM 256Mb DDR SDRAM x16, 200Mhz, Ind temp 860재고 상태
436예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1
최대: 100

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM 208재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT FBGA-165 18 Mbit Parallel
ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2,341재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR 1,195재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 67재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M 38재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 9 Mbit Parallel
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz 73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

DRAM SMD/SMT VFBGA-90 512 Mbit