onsemi 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
onsemi EEPROM LOW VOLTAGE 256KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18EE PHASE 2) IN SOIC8 비재고 리드 타임 27 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
EEPROM SMD/SMT SOIC-8 256 kbit SPI
onsemi EEPROM 512KB SPI SER CMOS EEPROM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
EEPROM UDFN-8
onsemi CAT34C02HU4IGT4U5
onsemi EEPROM 2KB I2C SER EEPROM SPD 비재고 리드 타임 25 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

EEPROM SMD/SMT UDFN-8 2 kbit I2C
onsemi CAT93C86BYI-GT3
onsemi EEPROM 16KB MICROWIRE SER EEPROM 3,096구매 가능한 공장 재고품
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM
onsemi N25S818HAT21IT
onsemi SRAM GENERAL SALES (ULP) 비재고 리드 타임 25 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SRAM
onsemi NV24C08UVLT2G
onsemi EEPROM 8KB I2C SER EEPROM 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM
onsemi NV24C128MUW3VTBG
onsemi EEPROM 128KB I2C SER EEPROM UDFN WETTABLE FLANKS 1구매 가능한 공장 재고품
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM
onsemi NV24C256MUW3VTBG
onsemi EEPROM 256KB I2C SER EEPROM UDFN WETTABLE FLANKS 비재고 리드 타임 17 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM
onsemi NV25128DTHFT3G
onsemi EEPROM 128 KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18EE PHASE 2) IN TSSOP8 비재고 리드 타임 27 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM
onsemi NV25128DWHFT3G
onsemi EEPROM 128 KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18EE PHASE 2) IN SOIC8 비재고 리드 타임 27 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM
onsemi NV25256DTHFT3G
onsemi EEPROM 256KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18EE PHASE 2) IN TSSOP8 비재고 리드 타임 27 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM
onsemi NV25256DWHFT3G
onsemi EEPROM 256 KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 (ONC18EE PHASE 2) 비재고 리드 타임 27 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM
onsemi NV93C46BMUW3VTBG
onsemi EEPROM 1KB MICROWIRE SER EEPROM UDFN WETTABLE FLANKS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM
onsemi NV93C86BMUW3VTBG
onsemi EEPROM 16KB MICROWIRE SER EEPROM UDFN WETTABLE FLANKS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EEPROM