Winbond 메모리 IC

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수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Winbond W638GU6RB-11 TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

DRAM
Winbond W638GU6RB09I
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, Industrial Temp 비재고 리드 타임 36 주
최소: 198
배수: 198

DRAM
Winbond W638GU6RB09I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, Industrial Temp, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

DRAM
Winbond W638GU6RB11I
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, Industrial Temp 비재고 리드 타임 36 주
최소: 198
배수: 198

DRAM
Winbond W638GU6RB11I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, Industrial Temp, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

DRAM
Winbond W639H6RBVABI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 800MHz, -40C-85C 비재고 리드 타임 36 주
최소: 189
배수: 189

DRAM
Winbond W639H6RBVABI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 800MHz, -40C-85C, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W639H6RBVACI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 933MHz, -40C-85C 비재고 리드 타임 36 주
최소: 189
배수: 189

DRAM
Winbond W639H6RBVACI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 933MHz, -40C-85C, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W639H6RBVADI
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 1066MHz, -40C-85C 비재고 리드 타임 36 주
최소: 189
배수: 189

DRAM
Winbond W639H6RBVADI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 1066MHz, -40C-85C, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W668GG6TB06I
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X16, -40-95C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

DRAM
Winbond W668GG6TB06I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X16, -40-95C 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

DRAM
Winbond W668GG8TB06I
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X8, -40-95C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

DRAM
Winbond W668GG8TB06I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X8, -40-95C 재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W958S6NBJX4I TR
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

DRAM
Winbond W958S8NBPA4I TR
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W958S8NMPA4I TR
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W959S6NBJX4I TR
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

DRAM
Winbond W959S8NMPA4I TR
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM
Winbond W979H6RBVA1I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz 비재고 리드 타임 36 주
최소: 168
배수: 168

DRAM
Winbond W979H6RBVA1I TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,500
배수: 3,500
: 3,500

DRAM
Winbond W979H6RBVA2I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 - 85C 비재고 리드 타임 36 주
최소: 168
배수: 168

DRAM
Winbond W979H6RBVA2I TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 - 85C T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,500
배수: 3,500
: 3,500

DRAM