ISSI 메모리 IC

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ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 79재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI SRAM 64K 8Kx8 10ns 5V Async SRAM 445재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 26
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOJ-28 64 kbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v 24재고 상태
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS 107재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L 92재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 42

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 74재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 26

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 111재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 62재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 2재고 상태
171예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 32

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 72재고 상태
108예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1
최대: 45

SRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb 3.6v 10ns 64Kx16 LPAsync SRAM 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 178재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 SDR SDRAM 73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 725재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-50 16 Mbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT 251재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 1,478재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v 905재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOP-28 256 kbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 209재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V 234재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit