R1RW0416DGE-2PI#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DGE2PIB1
Price: 20512 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

968-R1RW0416DGE2PIB1

제조업체 번호:

R1RW0416DGE-2PI#B1

제조업체:

Renesas Electronics

설명:

SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C

라이프사이클:

수명 종료:

제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.

데이터시트:

R1RW0416DGE-2PI#B1 데이터시트

ECAD 모델:

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구매 가능 정보

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단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩20,512.8	₩20,513
	₩18,958.8	₩189,588
	₩18,944	₩340,992
	₩17,390	₩4,382,280
	₩17,330.8	₩8,734,723

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Renesas Electronics
제품 카테고리:	SRAM
RoHS:
메모리 크기:	4 Mbit
조직:	256 k x 16
액세스 시간:	12 ns
공급 전압 - 최대:	3.6 V
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전류 - 최대:	130 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOJ-44
포장:	Tray
브랜드:	Renesas Electronics
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	JP
메모리 타입:	SRAM
제품 유형:	SRAM
팩토리 팩 수량:	18
하위 범주:	Memory & Data Storage
타입:	High Speed

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

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EOL

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USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
ECCN:: 3A991.b.2.a

비동기 SRAM

Renesas Electronics 비동기 SRAM은 고성능, 고신뢰성 CMOS 기술을 기반으로 합니다. 기술 및 혁신적인 회로 설계 기법은 고속 비동기 SRAM 메모리 요구 사항을 위한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다. 완전 정적 비동기식 회로는 작동을 위해 클록이나 새로 고침이 필요하지 않습니다. Renesas는 업계 표준 패키지 옵션을 사용하여 RoHS 6/6준수(녹색) 패키지로 비동기식 SRAM을 제공합니다.