N25Q064A13EF640E

Name: Alliance Memory N25Q064A13EF640E
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-N25Q064A13EF640E
Price: 2900 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

913-N25Q064A13EF640E

제조업체 번호:

N25Q064A13EF640E

제조업체:

Alliance Memory

설명:

NOR 플래시 Serial NOR 플래시(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin DFN(6x5), Tray

데이터시트:

N25Q064A13EF640E 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Alliance Memory N25Q064A13EF640E에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 2,066

재고:: 2,066 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 3 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

2066을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩2,900.8	₩2,901
	₩2,723.2	₩27,232
	₩2,634.4	₩65,860
	₩2,590	₩129,500
	₩2,530.8	₩253,080
	₩2,442	₩610,500
	₩2,382.8	₩1,167,572
	₩2,323.6	₩2,277,128
	₩2,220	₩6,526,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Alliance Memory
제품 카테고리:	NOR 플래시
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PDFN-8
메모리 크기:	64 Mbit
공급 전압 - 최소:	1.7 V
공급 전압 - 최대:	2 V
능동 읽기 전류 - 최대:	20 mA
인터페이스 타입:	SPI
최대 클록 주파수:	108 MHz
조직:	8 M x 8
데이터 버스 너비:	8 bit
타이밍 타입:	Synchronous
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Tray
브랜드:	Alliance Memory
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	NOR Flash
속도:	108 MHz
팩토리 팩 수량:	490
하위 범주:	Memory & Data Storage

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

N25Q064A13EF640E 데이터시트 (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

N25Q0x SPI NOR FLASH Memory Devices

Alliance Memory N25Q0x SPI NOR FLASH Memory Devices are high-performance multiple input/output serial Flash memories manufactured on 65nm NOR technology. These memory devices feature execute-in-place (XIP) functionality, a high-speed SPI-compatible bus interface, and advanced write protection mechanisms. The N25Q0x NOR FLASH memory devices can double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations. This is made possible by the innovative, high-performance, dual/quad input/output instructions. Software can write-protect these memory devices through volatile and nonvolatile protection features, depending on the application's needs. The protection granularity is 64KB (sector granularity) for volatile protections.