8 bit 0 C 메모리 IC

결과: 313
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수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FPGA-60 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,200
배수: 2,200

DRAM SMD/SMT FPGA-78 1 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 108
배수: 108

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 1 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit