|
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
- IME8G32L4HADG-062I
- Intelligent Memory
-
1:
₩248,793.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IME8G32L4HADG62I
|
Intelligent Memory
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩248,793.6
|
|
|
₩229,261.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
8 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
- S80KS2564GACHA043
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩12,996
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHA043
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-49
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
- S80KS2564GACHB040
- Infineon Technologies
-
260:
₩15,124
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB040
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 260
배수: 260
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-49
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
NVRAM NVSRAM
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
- CY14B116S-BZ35XI
- Infineon Technologies
-
210:
₩155,602.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B116S-BZ35XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM NVSRAM
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 210
배수: 210
|
|
NVRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-165
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
NVRAM NVSRAM
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
- CY14B116S-BZ35XIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩155,602.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B116SBZ35XIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM NVSRAM
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
NVRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-165
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42RM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,664.8
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42RM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42SM32160E-75BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩14,668
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42SM32160E75BLR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42RM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩16,811.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42RM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42SM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩15,914.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42SM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩48,123.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩43,274.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩43,183.2
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩48,138.4
-
비재고 리드 타임 40 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS43LQ32128AL-062TBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,115.2
-
비재고 리드 타임 36 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 36 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,024
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL06T2BLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32160E-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩11,977.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32160E75BLIR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42RM32800K-75BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩9,971.2
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42RM32800K75BLIT
|
ISSI
|
DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-6BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩25,657.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
- IS42S32160F-6BL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,182.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6BLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-6TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩19,790.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6TLITR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-II-86
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
- IS42S32160F-6TL-TR
- ISSI
-
1,500:
₩14,896
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F6TLTR
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-II-86
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42S32160F-75EBL
- ISSI
-
240:
₩15,762.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42S32160F-75EBLI
- ISSI
-
240:
₩17,343.2
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLI
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
- IS42S32160F-75EBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,082.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-42S32160F75EBLIT
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
대한민국
