32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형
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결과: 409
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
데이터시트
216주문 중
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
데이터시트
240예상 2026-10-28
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
데이터시트
171예상 2027-02-25
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
216예상 2026-11-04
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Kingston C3222PM4CDGUI-U
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
데이터시트
리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
데이터시트
리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
데이터시트
리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit