32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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결과: 409
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 재고 없음
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 재고 없음
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT BGA-134 2 Gbit