32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 171
배수: 171

DRAM SMD/SMT FBGA-134 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT LFBGA-144 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit