BM61x 게이트 드라이버

ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 3 750 Vrms 절연 전압 및 65 ns I/O 지연 시간으로 1채널 갈바닉 절연을 제공합니다. 이 게이트 드라이버는 액티브 밀러 클램프 기능과 UVLF(부족전압 록아웃) 기능을 갖추고 있습니다. BM61x 게이트 드라이버는 -40~+125°C의 온도 범위와 4.5~5.5V의 입력 측 공급 전압 범위에서 작동합니다. 이 게이트 드라이버는 4 A의 출력 전류, +150 °C의 최대 접합 온도 및 60 ns의 최소 입력 펄스 폭에서 작동합니다. ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 SiC MOSFET 구동에 이상적입니다.

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ROHM Semiconductor 전원 관리 IC 개발 도구 Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK001 board can be driving MOSFET and IGBT Power Devices. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side power supply is from 9 to 24 V. The BM61M22BFJ-C has Power Supply pro
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C
ROHM Semiconductor 전원 관리 IC 개발 도구 Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK002 board can be driving two MOSFET and IGBT Power Devices such as for High-side and Low-side on Half Bridge application. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side pow
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Evaluation Boards IGBT Driver, MOSFET Driver 4.5 V to 5.5 V 9 V to 24 V BM61M22BFJ-C