SRAM 내장형 솔루션

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Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVM
Infineon Technologies SRAM 16Mb Powersnooze 3.3V ERR pinMil temp
비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,400
배수: 2,400
없음

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 96
배수: 96

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480


ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135