4 Gbit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Zentel Japan DRAM DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
1,930예상 2026-08-19
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배수: 1

Adafruit 메모리 IC 개발 툴 Adafruit SPI Flash SD Card - XTSD 4 GB
51주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
2,324주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
6,732주문 중
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배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
2,660주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
25,741주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
4,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
11,480주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
4,973주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
5,686주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118예상 2027-07-30
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel
2,481예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel
2,432예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1333MHZ, Industrial Temp - Tray
1,462예상 2027-07-21
최소: 1
배수: 1
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Commercial Temp - Tray
3,762예상 2027-02-17
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray
2,926주문 중
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
415예상 2026-09-21
최소: 1
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Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
645주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
131주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
209주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
122주문 중
최소: 1
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ISSI NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
220주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480주문 중
최소: 1
배수: 1