32 bit Tray 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
324예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
190예상 2026-05-29
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
216주문 중
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies 개발 보드 및 키트 - 무선 CYW943907AEVAL1F EVAL KIT 비재고 리드 타임 6 주

Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 8 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240