16 bit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 2,698재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V 54BGA , 143 MHz, (A-die), Commercial Temp - Tray 600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray 380재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray 2,590재고 상태
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash 550재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v 2,240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 357재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 MHz, Commercial Temp, tape and reel, A Die 835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray 1,497재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp 542재고 상태
최소: 1
배수: 1

Winbond DRAM 128Mb DDR2-800, x16 T&R 2,475재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,500

ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 349재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async EDO DRAM 482재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 289재고 상태
2,574예상 2026-09-14
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 2,367재고 상태
1,404예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

Micron NAND 플래시 SLC 2Gbit 16 48/48 TSOP 1 AT 574재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP C Die (MT41K512M16HA-125IT:A), 13재고 상태
190예상 2026-06-03
최소: 1
배수: 1


Micron DRAM LPDDR4 2G 128MX16 FBGA 1,348재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Winbond DRAM 256Mb DDR2-800, x16 836재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

Winbond DRAM 256Mb DDR2-800, x16 T&R 820재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,500

Micron DRAM SDRAM 256Mbit 16 54/81 VFBGA 1 IT 1,695재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 163재고 상태
136예상 2027-01-29
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 189재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 422재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 443재고 상태
최소: 1
배수: 1