16 bit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Infineon Technologies NOR 플래시 1G 3V 100ns Parallel NOR 플래시 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies NOR 플래시 1G 3V 110ns Parallel NOR 플래시 8재고 상태
1,040예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84 22재고 상태
209예상 2026-09-29
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 5재고 상태
418예상 2026-06-03
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC DDR2, 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 86재고 상태
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 9S12XDP512 DEMO BOARD 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 DEVKIT for S12ZVC 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 DEVKIT for S12ZVL MagniV microcontroller 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 DEVKIT board for S12ZVL128 2재고 상태
최소: 1
배수: 1
NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 S12ZVMC12EVBCAN 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors 개발 보드 및 키트 - S08 / S12 S12G64 Tower Kit 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 473재고 상태
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R 7,768재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 1,949재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 1,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 1,840재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 2,381재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 2,001재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.5V DDR3 6,965재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 1,210재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 170재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM 2,301재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 2,538재고 상태
최소: 1
배수: 1