SiC MOSFET 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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결과: 57
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Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 80재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology 300재고 상태
480예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1,665재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 50

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 294재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 255재고 상태
750예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 375재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 869재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 1,659재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,001재고 상태
2,000예상 2026-07-30
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 276재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 237재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 196재고 상태
480예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 483재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 826재고 상태
240예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1
최대: 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 754재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 394재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 392재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 120재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 97재고 상태
60주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 52재고 상태
480예상 2026-06-29
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 237재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3