IPG20N04S4L-11A MOSFET

결과: 3
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3,918재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 11,952재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel