HS1Q 다이오드 및 정류기

다이오드 및 정류기의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 Vr - 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 전류
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 6,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 7,500

Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 2,756재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 9,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 14,000

Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified 9,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 14,000

Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 9,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 14,000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 7,355재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 7,500

Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.59 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified 9,730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 14,000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor 정류기 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier 2,965재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W 65재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 102 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 324재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 4 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 136재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 12 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY 56재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 38 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY 67재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 83 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L 93재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 10 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 15재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 50 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY 129재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 61 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 3 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 287재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 6 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 8 A
Toshiba SiC 쇼트키 다이오드 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L 10재고 상태
250예상 2026-04-08
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 2 A