NCP51561DADWR2G

onsemi
863-NCP51561DADWR2G
NCP51561DADWR2G

제조업체:

설명:
갈바닉 절연 게이트 드라이버 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

ECAD 모델:
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재고 상태: 589

재고:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,358.2 ₩5,358
₩4,044.2 ₩40,442
₩3,708.4 ₩92,710
₩3,358 ₩335,800
₩3,270.4 ₩817,600
₩2,905.4 ₩1,452,700
전체 릴(1000의 배수로 주문)
₩2,847 ₩2,847,000
₩2,759.4 ₩5,518,800
₩2,730.2 ₩13,651,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: 갈바닉 절연 게이트 드라이버
RoHS:  
NCP51561
SMD/SMT
SOIC-16
2 Channel
5 kVrms
- 40 C
+ 125 C
58 ns
11 ns
10 ns
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Dual
입력 전압 - 최대: 5 V
입력 전압 - 최소: 3 V
최대 턴-오프 지연 시간: 58 ns
최대 턴-온 지연 시간: 58 ns
드라이버 수: 2 Driver
출력 수: 2 Output
출력 전류: 4.5 A, 9 A
출력 전압: 18.5 V to 30 V
제품: Gate Driver
제품 유형: Galvanically Isolated Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
공급 전압 - 최대: 5 V
공급 전압 - 최소: 3 V
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

NCP51561 5kVRMS 절연 이중 채널 게이트 드라이버

onsemi NCP51561 5kVRMS 절연 이중 채널 게이트 드라이버는 전력 MOSFET 및 SiC MOSFET 전력 스위치를 구동하는 빠른 스위칭을 위해 설계되었습니다. 4.5A/9.0A NCP51561 게이트 드라이버는 짧은 정합 전파 지연을 제공합니다. 2개의 독립적인 및 5kVRMS(정격 UL1577) 갈바닉 절연 게이트 드라이버 채널은 로우 측 2개, 하이 측 2개 스위치 또는 데드타임을 프로그래밍할 수 있는 하프 브리지 드라이버의 모든 구성에 사용할 수 있습니다. 로우로 설정된 경우 활성화 핀이 양쪽 출력을 동시에 차단합니다. NCP51561 게이트 드라이버는 게이트 드라이버 및 활성화 기능을 위한 독립적인 부족전압 록아웃과 같은 다른 중요한 보호 기능을 통합했습니다.

산업용 모터 드라이브

Onsemi 산업용 모터 드라이브는 글로벌 지속 가능성을 위해 설계되었으며 효율적이고 재생 가능한 기술과 지능적인 전력을 공급합니다. 미국 에너지부(DOE)에서 발표한2020 모터 시스템 시장 분석(MSMA)에 따르면 산업용 펌프와 드라이브는 매년 미국 전체 전력망의 약15%를 소비합니다. 2020 MSMA는 또한 VFD를 사용하여 매년 32.3백만미터톤의 CO2 배출량을 줄일 수 있다고 추정합니다. onsemi는 게이트 드라이버, MOSFET, IGBT, EliteSiC를 포함한 광범위한 VFD 반도체 부품을 제조합니다.

클라우드 전력 관리 솔루션

onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션은 인프라에 필수적인 컴퓨팅과 연결성을 제공합니다. onsemi 클라우드 전력 관리 솔루션의 전력은 프로세서, 메모리 뱅크, 무선 기지국에 필수적입니다. 시스템 운영이 점차 클라우드로 전환됨에 따라 효율성과 신뢰성의 중요성이 커지고 있습니다. 특히 AI 서버는 최적의 성능과 효율성을 보장하기 위해 신뢰할 수 있는 전원 공급원이 필요하므로 이와 같은 솔루션은 AI 기반 운영의 무결성과 기능을 유지하는 데 필수적입니다. onsemi는 클라우드 인프라의 다양한 전력 요구 사항을 지원하기 위해 AC-DC 변환, 다상 변환, PoL 공급 및 핫스왑 보호를 위한 다양한 솔루션을 제공합니다. 최첨단 기술, 신뢰할 수 있는 성능, 응용분야의 전문성에 바탕을 둔 onsemi는 기지국, 서버 또는 데이터 센터에 관계없이 오늘날 환경에서 데이터에 전력을 공급하는 이상적인 파트너입니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.