XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 9971 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-XPQR3004PBLXHQ

제조업체 번호:

XPQR3004PB,LXHQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET L-TOGL N-CH 40V 400A

데이터시트:

XPQR3004PB,LXHQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩9,971.8	₩9,972
	₩7,154	₩71,540
	₩5,460.4	₩546,040
	₩5,314.4	₩5,314,400
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩5,226.8	₩7,840,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	L-TOGL-9
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	400 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	470 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	295 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	750 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
하강 시간:	130 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	65 ns
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	395 ns
표준 턴-온 지연 시간:	120 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-채널 MOSFET

Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-채널 MOSFET은 매우 낮은 온저항, 높은 드레인 전류 정격 및 높은 방열을 제공합니다. 이는 높은 방열 패키지(L-TOGL(대형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드) 및 S-TOGL(소형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드)를 U-MOS IX-H 및 U-MOS X-H 칩 공정과 결합하여 달성됩니다. Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL MOSFET은 또한 고전류 기능과 높은 방열을 제공하여 다양한 자동차 애플리케이션에서 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. L-TOGL 패키지는 기존 TO-220SM(W) 패키지와 크기가 동일합니다. 그러나 XPQR3004PB는 전류 정격을 크게 향상시키고 온 상태 저항을 일반적으로 0.23mΩ으로 낮춥니다. 설치 면적이 최적화된 L-TOGL 패키지는 동일한 크기의 TO-220SM(W) 패키지와 비교할 때 열 특성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

XPQR3004PB 40V 400A 자동차 MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET은 0.23mΩ(표준) RDS(ON), 400A 전류 용량, 2~3V 문턱 전압(Vth)을 특징으로 합니다. 추가 기능에는 +175°C 최고 작동 온도 및 10µA 최대 누설 전류(VDS=40V)가 포함됩니다. Toshiba XPQR3004PB MOSFET은 0.2°C/W 열 임피던스와 750W 전력 손실을 제공하는 L-TOGL 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 AEC-Q101 인증을 받았으며 자동차 애플리케이션, 스위칭 전압 레귤레이터, 모터 드라이버 및 DC-DC 컨버터에 이상적입니다.