XPJ1R004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJ1R004PBLXHQ
XPJ1R004PB,LXHQ

제조업체:

설명:
MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A

데이터시트:
ECAD 모델:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,861.6 ₩2,862
₩1,825 ₩18,250
₩1,606 ₩160,600
₩1,562.2 ₩781,100
₩1,518.4 ₩1,518,400
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩1,489.2 ₩2,233,800
₩1,411.8 ₩4,235,400

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
브랜드: Toshiba
제품 유형: MOSFETs
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

자동차용 U-MOSIX-H 전력 MOSFET

Toshiba   자동차 용 U-MOSIX-H 전력 MOSFET은 자동차 애플리케이션에 이상적인 40V N-채널 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 소형, 저 저항 SOP 고급(WF) 패키지로 제공됩니다. 이 장치는   낮은 온 저항이 특징으로, 전도 손실을 줄일 수 있습니다. U-MOSIX-H 시리즈는 Toshiba Electronic Devices 및 Storage Corporation’의 이전 시리즈(U-MOSIV)에 비해 스위칭 잡음을 낮춥니다.

L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-채널 MOSFET

Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-채널 MOSFET은 매우 낮은 온저항, 높은 드레인 전류 정격 및 높은 방열을 제공합니다. 이는 높은 방열 패키지(L-TOGL(대형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드) 및 S-TOGL(소형 트랜지스터 아웃라인 걸윙 리드)를 U-MOS IX-H 및 U-MOS X-H 칩 공정과 결합하여 달성됩니다. Toshiba L-TOGL 및 S-TOGL MOSFET은 또한 고전류 기능과 높은 방열을 제공하여 다양한 자동차 애플리케이션에서 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. L-TOGL 패키지는 기존 TO-220SM(W) 패키지와 크기가 동일합니다. 그러나 XPQR3004PB는 전류 정격을 크게 향상시키고 온 상태 저항을 일반적으로 0.23mΩ으로 낮춥니다. 설치 면적이 최적화된 L-TOGL 패키지는 동일한 크기의 TO-220SM(W) 패키지와 비교할 때 열 특성을 개선하는 데 도움이 됩니다.

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