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747-IXFT320N10T2 MOSFET

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결과: 2

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트랜지스터 극성

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

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Pd - 전력 발산

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	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFT320N10T2 IXYS 1: ₩36,780.1 945재고 상태 3,510주문 중	제조업체 부품 번호 IXFT320N10T2 Mouser 부품 번호 747-IXFT320N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXYS gen2 trench gate mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	945재고 상태 3,510주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IXFT320N10T2 재고: 945 즉시 배송 가능 주문 중: 60 예상 2026-12-14 1,650 예상 2027-01-25 1,800 예상 2027-02-08 공장 리드 타임: 24 주	₩36,780.1 ₩25,929.3 ₩23,871.8 ₩23,632.3 견적 견적	최소: 1 배수: 1			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	320 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	430 nC	- 55 C	+ 175 C	1 kW	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXFT320N10T2-TRL IXYS 1: ₩36,780.1 비재고 리드 타임 24 주	제조업체 부품 번호 IXFT320N10T2-TRL Mouser 부품 번호 747-IXFT320N10T2-TRL	IXYS	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXYS littelfuse trencht2 mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 24 주	컷 테이프 ₩36,780.1 ₩29,452.3 ₩23,773.2 릴 ₩23,392.7 견적 견적	최소: 1 배수: 1 : 400			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)		1 Channel	200 V	180 A	7.5 mOhms	20 V	2 V	154 nC			735 W	Enhancement	TrenchT2	Reel, Cut Tape

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